Skip navigation

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/20.500.12128/5506
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorNowak, Marian-
dc.contributor.authorToroń, Bartłomiej-
dc.date.accessioned2018-07-23T07:04:35Z-
dc.date.available2018-07-23T07:04:35Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12128/5506-
dc.description.abstractPodstawową hipotezą wysuniętą w niniejszej dysertacji było stwierdzenie, iż działanie promieniowania laserowego dużej mocy na część kryształu związku półprzewodnikowego spowoduje jego stopienie, dekompozycję chemiczną, a po zaprzestaniu działania wiązki laserowej stopiona część kryształu ulegnie zestaleniu i utworzy się heterozłącze. Wysuniętą hipotezę postanowiono sprawdzić eksperymentalnie na przykładzie ferroelektrycznych kryształów jodosiarczku antymonu. Głównym celem pracy było wytworzenie i zbadanie nowych rodzajów heterozłączy, złożonych z monokryształów SbSI i jego materiału izostrukturalnego Sb2S3. Jednym z celów pracy było określenie zakresu parametrów wiązki laserów, za pomocą których można wytwarzać heterostruktury. Aby poznać własności wytwarzanych heterostruktur postanowiono zbadać ich skład chemiczny i strukturę oraz właściwości optyczne, elektryczne, fotoelektryczne i mechaniczne. Za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) wyposażonego w przystawkę do badań metodą spektroskopii dyspersji energii (EDS) postanowiono przeprowadzić analizę jakościową i ilościową składu chemicznego wytworzonych heterostruktur. Stosując tę metodę zamierzono przeprowadzić analizę punktową oraz wyznaczyć liniowe rozkłady koncentracji pierwiastków w celu wyznaczenia charakteru złączy. Badania struktury materiałów postanowiono przeprowadzić metodą dyfraktometrii rentgenowskiej (XRD), która to metoda niesie informacje o strukturze krystalograficznej badanego materiału. Wytworzone próbki postanowiono również zbadać metodą spektroskopii Ramanowskiej (RS). Pomiary własności heterostruktur postanowiono przeprowadzić w zakresie od 253 K do 333 K gdyż temperatura Curie SbSI wynosi ok. 292 K. Pomiary widmowe własności optycznych i fotoelektrycznych heterostruktur postanowiono przeprowadzić w zakresie energii fotonów od ok. 1,4 eV do ok. 3 eV obejmującym zakres wartości przerw energetycznych SbSI oraz Sb2S3. Badania własności elektrycznych postanowiono przeprowadzić zarówno na wytworzonych heterostrukturach jak i na samych materiałach wchodzących w ich skład.pl_PL
dc.language.isoplpl_PL
dc.publisherKatowice : Uniwersytet Śląskipl_PL
dc.subjectheterostrukturypl_PL
dc.subjectwłasności elektrycznepl_PL
dc.subjectwłasności fotoelektrycznepl_PL
dc.subjectwłasności optycznepl_PL
dc.subjectwłasności mechanicznepl_PL
dc.subjectbadaniapl_PL
dc.titleTechnologia otrzymywania oraz własności heterostruktur wytworzonych w monokryształach SbSIpl_PL
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesispl_PL
Appears in Collections:Rozprawy doktorskie (WNŚiT)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Toron_Technologia_otrzymywania_oraz_wlasnosci.pdf4,55 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in RE-BUŚ are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.