Skip navigation

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/20.500.12128/5156
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorWokulska, Krystyna-
dc.contributor.authorKucytowski, Jacek-
dc.date.accessioned2018-07-04T12:14:53Z-
dc.date.available2018-07-04T12:14:53Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12128/5156-
dc.description.abstractKontrola obecności i sposoby regulacji różnych mikrodefektów, które wywołują lokalne zaburzenie w periodyczności sieci, jest niezwykle trudna zarówno z naukowego punktu widzenia jak i technologicznego. W kryształach zbliżonych do doskonałych nawet niewielkie ilości defektów punktowych lub ich klasterów wprowadzają efekty rozmiarowe, a także niejednorodności gęstości elektronowej. Tylko niektóre z metod dyfrakcyjnych są czułe na tak subtelne zmiany. Oprócz niezwykle skomplikowanej techniki interferometrii rentgenowskiej sprzężonej z interferometrem laserowym, tylko w przypadku metody Bonda - precyzyjnego pomiaru parametru sieciowego - można mówić o pomiarze bezwzględnym (absolutnym) zmian parametrów sieciowych. Metoda ta okazała się bardzo przydatną do badania odchyleń od stechiometrii i innych defektów strukturalnych wywołujących względne zmiany parametrów sieciowych rzędu hd/d = 10"6 (gdzie d - odległość międzypłaszczyznowa). Metoda Bonda jest metodą szybką, precyzyjną, ale równocześnie bardzo dokładną. Jej dokładność oparta jest na analizie, w oparciu o dynamiczną teorię rozpraszania, przesunięcia maksimum refleksu dyfrakcyjnego. Wymaga ona jednak niemal doskonałych monokryształów aby mogła być zastosowana. W związku z tym rodzi się wiele pytań dotyczących powiązania parametrów sieciowych monokryształów i defektów w nich występujących. Między innymi takie jak: w jaki sposób możliwe jest określenie różnic pomiędzy precyzją i dokładnością w tak subtelnych pomiarach, czym mogą być spowodowane niewielkie zmiany parametrów sieciowych, jak te zmiany zależą od rodzaju defektów i typu struktury badanych monokryształów. Celem pracy było zastosowanie metody Bonda do analizy subtelnych zmian parametrów sieciowych pod wpływem defektów w monokryształach stosowanych we współczesnej elektronice. Do badań wykorzystywano monokryształy o różnym stopniu zdefektowania poczynając od niemal idealnego bezdyslokacyjnego krzemu i krzemu domieszkowanego, a następnie skoncentrowano się na możliwościach identyfikowania defektów w typowych kryształach laserowych, takich jak niobian litu (LiNbCb) czysty i domieszkowany jonami ziem rzadkich, wanadian itrowy (YVC>4) - czysty i domieszkowany neodymem, oraz granaty itrowo gadolinowe (Y3AI5O12) domieszkowane iterbem.pl_PL
dc.language.isoplpl_PL
dc.publisherKatowice : Uniwersytet Śląskipl_PL
dc.subjectoptoelektronikapl_PL
dc.subjectmonokryształypl_PL
dc.subjectdefekty strukturalnepl_PL
dc.subjectdefekty punktowepl_PL
dc.subjectMetoda Bondapl_PL
dc.titleWpływ defektów punktowych na zmianę parametrów sieciowych monokryształów krzemu i wybranych tlenków metali stosowanych w optoelektronicepl_PL
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesispl_PL
Appears in Collections:Rozprawy doktorskie (WNŚiT)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kucytowski_Wplyw_defektow_punktowych.pdf2,78 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in RE-BUŚ are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.