Skip navigation

Zastosuj identyfikator do podlinkowania lub zacytowania tej pozycji: http://hdl.handle.net/20.500.12128/3015
Tytuł: Surface passivation of (100) GaSb using self-assembled monolayers of long-chain octadecanethiol
Autor: Papis-Polakowska, Ewa
Kaniewski, Janusz
Jureńczyk, Jarosław
Jasik, Agata
Czuba, Krzysztof
Walkiewicz, A.E.
Szade, Jacek
Słowa kluczowe: Atomic force microscopy; Gallium alloys; Monolayers; Organic polymers; Passivation; Photodetectors; Photons; Self assembly; X ray photoelectron spectroscopy
Data wydania: 2016
Źródło: AIP Advances, 2016, iss. 5, art. no 055206
Abstrakt: The passivation of (100) GaSb surface was investigated by means of the long-chain octadecanethiol (ODT) self-assembled monolayer (SAM). The properties of ODT SAM on (100) GaSb were characterized by the atomic force microscopy using Kelvin probe force microscopy mode and X-ray photoelectron spectroscopy. The chemical treatment of 10mM ODT-C2H5OH has been applied to the passivation of a type-II superlattice InAs/GaSb photodetector. The electrical measurements indicate that the current density was reduced by one order of magnitude as compared to an unpassivated photodetector.
URI: http://hdl.handle.net/20.500.12128/3015
DOI: 10.1063/1.4949754
ISSN: 2158-3226
Pojawia się w kolekcji:Artykuły (WMFiCH)

Pliki tej pozycji:
Plik Opis RozmiarFormat 
Papis-Polakowska_Surface_passivation_of_100_GaSb_using_self-assembled_monolayers.pdf3,8 MBAdobe PDFPrzejrzyj / Otwórz
Pokaż pełny rekord


Uznanie Autorstwa 3.0 Polska Creative Commons Creative Commons