Abstrakt: | Podstawową hipotezą wysuniętą w niniejszej dysertacji było stwierdzenie, iż działanie promieniowania laserowego dużej mocy na część kryształu związku półprzewodnikowego spowoduje jego stopienie, dekompozycję chemiczną, a po zaprzestaniu działania wiązki laserowej stopiona część kryształu ulegnie zestaleniu i utworzy się heterozłącze. Wysuniętą hipotezę postanowiono sprawdzić eksperymentalnie na przykładzie ferroelektrycznych kryształów jodosiarczku antymonu.
Głównym celem pracy było wytworzenie i zbadanie nowych rodzajów heterozłączy, złożonych z monokryształów SbSI i jego materiału izostrukturalnego Sb2S3.
Jednym z celów pracy było określenie zakresu parametrów wiązki laserów, za pomocą których można wytwarzać heterostruktury. Aby poznać własności wytwarzanych heterostruktur postanowiono zbadać ich skład chemiczny i strukturę oraz właściwości optyczne, elektryczne, fotoelektryczne i mechaniczne.
Za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) wyposażonego w przystawkę do badań metodą spektroskopii dyspersji energii (EDS) postanowiono przeprowadzić analizę jakościową i ilościową składu chemicznego wytworzonych heterostruktur. Stosując tę metodę zamierzono przeprowadzić analizę punktową oraz wyznaczyć liniowe rozkłady koncentracji pierwiastków w celu wyznaczenia charakteru złączy.
Badania struktury materiałów postanowiono przeprowadzić metodą dyfraktometrii rentgenowskiej (XRD), która to metoda niesie informacje o strukturze krystalograficznej badanego materiału. Wytworzone próbki postanowiono również zbadać metodą spektroskopii Ramanowskiej (RS). Pomiary własności heterostruktur postanowiono przeprowadzić w zakresie od 253 K do 333 K gdyż temperatura Curie SbSI wynosi ok. 292 K. Pomiary widmowe własności optycznych i fotoelektrycznych heterostruktur postanowiono przeprowadzić
w zakresie energii fotonów od ok. 1,4 eV do ok. 3 eV obejmującym zakres wartości przerw energetycznych SbSI oraz Sb2S3. Badania własności elektrycznych postanowiono przeprowadzić zarówno na wytworzonych heterostrukturach jak i na samych materiałach wchodzących w ich skład. |