Skip navigation

Zastosuj identyfikator do podlinkowania lub zacytowania tej pozycji: http://hdl.handle.net/20.500.12128/5506
Tytuł: Technologia otrzymywania oraz własności heterostruktur wytworzonych w monokryształach SbSI
Autor: Toroń, Bartłomiej
Promotor: Nowak, Marian
Słowa kluczowe: heterostruktury; własności elektryczne; własności fotoelektryczne; własności optyczne; własności mechaniczne; badania
Data wydania: 2014
Wydawca: Katowice : Uniwersytet Śląski
Abstrakt: Podstawową hipotezą wysuniętą w niniejszej dysertacji było stwierdzenie, iż działanie promieniowania laserowego dużej mocy na część kryształu związku półprzewodnikowego spowoduje jego stopienie, dekompozycję chemiczną, a po zaprzestaniu działania wiązki laserowej stopiona część kryształu ulegnie zestaleniu i utworzy się heterozłącze. Wysuniętą hipotezę postanowiono sprawdzić eksperymentalnie na przykładzie ferroelektrycznych kryształów jodosiarczku antymonu. Głównym celem pracy było wytworzenie i zbadanie nowych rodzajów heterozłączy, złożonych z monokryształów SbSI i jego materiału izostrukturalnego Sb2S3. Jednym z celów pracy było określenie zakresu parametrów wiązki laserów, za pomocą których można wytwarzać heterostruktury. Aby poznać własności wytwarzanych heterostruktur postanowiono zbadać ich skład chemiczny i strukturę oraz właściwości optyczne, elektryczne, fotoelektryczne i mechaniczne. Za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEM) wyposażonego w przystawkę do badań metodą spektroskopii dyspersji energii (EDS) postanowiono przeprowadzić analizę jakościową i ilościową składu chemicznego wytworzonych heterostruktur. Stosując tę metodę zamierzono przeprowadzić analizę punktową oraz wyznaczyć liniowe rozkłady koncentracji pierwiastków w celu wyznaczenia charakteru złączy. Badania struktury materiałów postanowiono przeprowadzić metodą dyfraktometrii rentgenowskiej (XRD), która to metoda niesie informacje o strukturze krystalograficznej badanego materiału. Wytworzone próbki postanowiono również zbadać metodą spektroskopii Ramanowskiej (RS). Pomiary własności heterostruktur postanowiono przeprowadzić w zakresie od 253 K do 333 K gdyż temperatura Curie SbSI wynosi ok. 292 K. Pomiary widmowe własności optycznych i fotoelektrycznych heterostruktur postanowiono przeprowadzić w zakresie energii fotonów od ok. 1,4 eV do ok. 3 eV obejmującym zakres wartości przerw energetycznych SbSI oraz Sb2S3. Badania własności elektrycznych postanowiono przeprowadzić zarówno na wytworzonych heterostrukturach jak i na samych materiałach wchodzących w ich skład.
URI: http://hdl.handle.net/20.500.12128/5506
Pojawia się w kolekcji:Rozprawy doktorskie (WNŚiT)

Pliki tej pozycji:
Plik Opis RozmiarFormat 
Toron_Technologia_otrzymywania_oraz_wlasnosci.pdf4,55 MBAdobe PDFPrzejrzyj / Otwórz
Pokaż pełny rekord


Wszystkie pozycje w RE-BUŚ są chronione prawem autorskim chyba, że zostało wskazane inaczej.